温度能明显地影响金属导体和半导体材料的导电性能，如图所示的图线分别为某金属导体和某半导体的电阻随温
图1 的电阻会根据图2 的温度和电阻增加而增加，当温度升高时。到温度升高时温度，当温度升高时，半导体的阻力会降低。
温度。
为什么金属的电阻值随着温度的升高而变大,而半导体的则随温度升高反而变小呢?
以上语句是一个不完整的描述，以下已完成： 杂质正在增加钢铁载体。电阻进入室温区域，杂质正在增加。
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在温度区域，兴奋包括电影中的主要角色。
T来自主要章节。
总体路径首先掉落。
最后，将半导体热电阻视为smiconductor Thermistor去除ZXZ02 6 的一个例子，基本上提到了矿物的原理。
热敏电阻的主要温度主要在钛酸钡陶瓷中。
1 2 0度（居里温度）增加了温度。
该机制非常复杂。
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多数半导体热敏电阻的电阻值随温度变化呈(+)变化,且变化程度比金属电阻大？
是的，大多数半导体曼陀斯的电阻值随温度升高而增加，并显示出正相关。这是因为随着温度的升高，半导体中皮带的浓度增加，从而导致电阻值增加。
相反，金属电阻的电阻值通常随温度升高而降低，并显示为负相关。
这是因为随着温度的升高，金属中原子的热振动增加，这会导致电子碰撞频率的增加，电阻值下降。
因此，半导体 - 驱动器的电阻值随温度的变化程度要大于金属电阻。
金属和半导体的电阻率有什么区别？
主要区别在于，当温度升高时，金属电阻会增加。半导体的电阻在低温，室温和高温下发生变化。
1 金属和温度抗性之间的关系：金属材料在没有高温的范围内，温度变化不大：大多数金属的电阻按温度线性变化，即ρ和温度t（）之间的关系为ρt =ρ0（1 +at），其中1 和0分别为t℃和0的电阻； 锰铜的α约为1 ×1 0-1 /℃（其值极小），并且电阻的电阻值在温度范围内的电阻值很少在正常温度范围内，适用于标准电阻。
在材料值的已知模型随温度变化后，可以进行电阻温度计来测量温度。
2 半导体与温度抗性之间的关系：确定电阻与温度之间关系的主要因素是载体浓度与迁移率与温度之间的关系。
在低温下：由于载体的浓度呈指数增加（捐赠者或受体的杂质不断遭受电离），而且迁移率也会增加（电离电离杂质受损的散射效应），因此当此时间温度增加时，电阻会增加高和增加。
在室温下：由于供体或受体的杂质已经完全离子化，因此载体浓度保持不变，但是当温度升高时，迁移率将降低（随着消耗而增强网络振动。
温度网络振动的增加变得更强，更强烈，并且更强），但是这种迁移率的效果不如载体水平的增加那么强，因此总体效果是当温度升高时电阻会降低。
