惠斯通电桥测电阻实验报告
1 掌握原理以及如何操作惠斯通桥以测量电阻。和比率抗性。
用于教育的不平衡桥DHQJ-3 ，多个导体和测量电阻是电路的基本组成部分之一，电阻测量是基本的电气测量。
通过电压电流测量电阻的原理具有简单但系统的错误。
如果需要正确测量电阻，请使用小麦石桥，该桥适合测量中间电阻（1 〜1 06 Ω）。
惠斯通桥的原理如图1 所示。
要测量的标准电阻R3 ，R1 ，R2 和电阻RX以投机类型连接，每一侧称为桥癌。
电源E连接在对角线A和C之间，湾计G在对角线B和D之间连接，因此桥由四个臂的三个部分，电源和kendo系统组成。
当连接开关KE和KG时，电流会通过每个季度。
分支在交付ABC和ADC的两个分支中起着作用，例如“桥”。
正确调整R3 ，R1 和R2 的大小可能没有通过桥梁的电流。
这条腿的状态称为平衡。
当前，A和B之间的电势差与A和D之间的电势差，而B和C之间的电位差与D和C之间的电位差相同。
假设ABC分支的当前和ADC分支分别是I1 和I2 在正确的图片的情况下，我们将两个方程式与ohm定律划分，并获得I1 rx = i2 r2 i1 r3 =i2 r1 rxr2 r3 r1 R2 /R1 通常称为比率组，R3 称为比较癌。
盒子型小麦桥使用盒子式惠特斯通桥安装各种腿部组件，包括标准电阻盒，画廊，防护电阻，电源，开关，开关等。
使用。
框类型桥梁适用于测量超过1 00Ω以上的中间电阻。
某些情况显示在右图的图片中。
实验阶段如下。
单个桥电阻数据记录桥的灵敏度与Kendo系统的灵敏度成正比，并且星系灵敏度越高，桥的灵敏度越高。
桥的灵敏度与电源电压E成正比。
为了提高桥梁的灵敏度，可以正确增加电源电压。
随着四个桥梁的电阻值增加，桥灵敏度降低。
它随着增加而减小。
如果手臂的电阻值太大，如果手臂的电阻值太大，则灵敏度将大大降低。
其中一些会导致以下实验错误： 电源不是很稳定。
选择高灵敏度。
由于桥的灵敏度S与牙龈系统的灵敏度成正比，因此仪表的灵敏度越高，桥的灵敏度越高。
R1 ，R2 ，R3 和RX增加（R2 r3 ），如果手臂的值太大，值的差异太大，灵敏度和电阻将大大降低。
但是请注意不要超过每个臂电阻的额定功率。
否则，每个手臂电阻将损坏。
用非平衡电桥研究热敏电阻的温度特性
使用不平衡的桥研究热敏电阻温度的特征：由于热敏电阻特征的影响无法测量温度。在分析和计算桥梁线时，您肯定会面对桥梁从平衡中出现的情况，即桥梁处于不成比例的状态。
在测量实践中，有时测量结果不是由桥平衡状态确定的，而是指示桥电路表示仪器不是零的值。
根据桥梁平衡状况进行测量的桥梁具有复杂的操作和较长的测量时间。
不平衡的桥梁测量直接测量的参数元素，或在桥的不平衡状态下在指示器上跨指示器的电压。
求大学物理实验预习报告～测热敏电阻的温度特性
注释：Thermistor是半导体电阻，其电阻值对温度变化非常敏感。该实验使用桥梁方法来研究术语耐药性温度的特征，并加深对术语耐药性温度特征的理解。
关键字：Termistor，一种不平衡的直流电，电阻温度1 的特征1 术语的引入是基于半导体材料的电导率和温度之间强烈依赖的设备，其电阻温度通常为（-0.003 〜+0.6 ）℃-1 场，因此，通常，热敏电阻可以分为：I，具有负电阻温度的热敏电阻组件（短剂）通常用某些过渡金属氧化（主要是短的）在一定水平上使用铜，镍，钴，卡迪亚和其他氧化物）。
在条件下形成的半导体金属是由基本材料制成的，近年来，它们也由单晶半导体和其他材料制成。
家庭产品主要属于半导体术语MF9 1 〜MF9 6 由于构成这种术语的过渡金属的上述氧化物主要在室温下电离，即，载体的浓度主要不取决于温度，因此此类术语的特定电阻主要考虑到迁移率以及温度之间的关系。
当温度升高时，迁移率会增加，并且特定的电阻会降低。
它们中的大多数用于测量温度和温度控制的技术，也可以变成流量，动力计等。
这种类型的热敏电阻的特定电阻随温度而变化的变化主要取决于载体的浓度，而迁移率和温度的变化相对较小。
随着温度的升高，载体的数量成倍增加。
这是广泛使用的。
2 实验装置和原理[实验设备]型FQJ-ⅱ不平衡的DC桥，用于学习的无声实验加热（内置的半导体Termistor MF5 1 （2 .7 KOHM）用于加热炉和温度控制传感器进行监测。
），几条连接线。
[实验原理]根据半导体理论，特异性电阻与总半导体材料的绝对温度之间的关系（1 -1 ）。
材料的物理特性。
因此，可以按照以下电阻定律将热敏电阻的电阻值记录为（1 -2 ）：两个电极与术语的横截面之间的距离。
对于特定的电阻，均为恒定和B，可以通过实验方法确定。
为了促进数据处理，如果将上述方程式视为两侧的对数，则方程式上方（1 -3 ）表明它是线性的。
测量电阻，被认为是水平坐标和垂直坐标。
术语的电阻温度的方法由以下公式（1 -4 ）确定。
计算。
可以使用不平衡的直流桥测量术语在不同温度下的电阻值。
右侧的图显示了不平衡的直流桥的示意图。
当载荷电阻→即，即桥出口处于打开电路状态= 0时，只有输出出口以这种方式表示，即桥式= 0，即桥在平衡。
为了进行测量的准确性，必须在测量前进行预先平衡，以便输出电压只能与一个臂电阻的变化相关联。
如果R1 ，R2 ，R3 是固定的，则R4 是需要测量的电阻，R4 = RX，那么当R4 →R4 +△r时，桥的不平衡产生的输出电压为：（1 -5 ） MF5 1 电阻的热灵敏度，不平衡的直流桥使用垂直桥，在（1 -6 ）R中以及先前平衡的值电阻是预先调节和平衡的。
并且方程（1 -6 ）可以获得计算，因此计算可以为= r4 +△r。
3 根据表1 中半导体术语MF5 1 （2 .7 kohm）的电阻〜温度特性的术语抗性温度的特征的研究，表1 中的桥链，根据桥梁的类型，前面的平衡，平衡，将“函数转换”切换到“电压”位置，按G和B开关，打开实验加热设备以增加温度，每2 次测量1 ，并列出测量数据（表）二）。
表1 电阻〜温度特征MF5 1 热敏电阻（2 .7 KOM）2 .4 1 4 .4 1 6 .4 1 8 .4 2 .4 2 2 .4 2 2 .4 2 4 .4 2 6 .4 2 8 .4 热力学TK2 8 3 .4 2 8 5 .4 2 8 7 .4 2 9 1 .4 2 9 1 .4 2 9 3 .4 2 9 3 .4 2 9 3 .4 2 9 5 .4 2 9 7 .4 2 9 9 .4 9 9 .4 9 .4 9 .4 9 .4 9 .4 9 .4 .4 .4 .4 .4 .4 .4 .4 . 4 .4 .4 .4 4 .4 .4 4 .4 .h. 4 1 .6 - 1 07 .8 -1 2 6 .4 -1 4 4 .4 0.0-2 5 9 .2 -5 2 9 .9 8 9 .8 -1 2 6 .4 -1 4 4 .4 0.0.0-2 5 9 .2 -5 2 9 .2 -5 2 9 .9 8 9 .8 1 2 7 9 -1 6 3 0.1 -1 8 1 5 .4 -1 9 7 7 .9 4 3 2 3 .04 06 3 .8 3 7 9 3 .1 3 5 3 4 .03 2 9 5 .8 3 07 4 .9 2 8 7 1 .1 2 6 9 2 .9 2 5 07 .6 2 3 4 5 .1 在表2 中获得，该图显示在右图的图中。
使用最小二乘方法计算的线性方程是，即半导体终端MF5 1 （2 .7 kohm）的电阻的数学表达。
4 实验结果误差数学表达通过实验获得的温度术语MF5 1 的温度特性的数学表达。
根据结果表达式计算了热敏电阻的温度特性的测量电阻值，该表达与表1 中给出的参考值保持良好的一致性，如下表：表3 实验结果比较温度℃2 5 3 03 5 4 5 5 05 5 6 06 5 RTΩ2 7 002 2 5 1 8 7 01 5 7 3 1 3 1 3 1 1 6 01 0008 7 4 8 .00根据上述结果判断，这主要在实验范围内。
但是我们可以清楚地发现，随着温度的升高，电阻值变得更少，但是相对误差变得更大，这主要是由内部热效应引起的。
5 在实验过程中内部热效应的影响，因为测量术语时总是会传输某个工作电流使用不平衡的桥，术语的电阻值很大，体积很小，热容量很小，因此很小，焦耳的热量将很快使用。
如果准确测量术语的温度特性，则有必要考虑内部热效应的影响。
该实验将不会进一步研究或讨论。
6 根据实验的实验简历，我们可以清楚地发现，术语的电阻值对温度变化非常敏感，并且随着温度的上升，其电阻值在几何进程中降低。
因此，可以使用电阻的特性制成各种传感器，这些传感器可以将温度的较小变化转化为电阻变化为大输出信号，这特别适合测量高清。
从少量组件中，形状和包装材料的广泛选择性，它特别适合在高温，高湿度，振动和热击中的介质中的温度和湿度传感器。
并具有巨大的发展潜力。
