半导体的导电能力随外界温度的变化而变化的性质称作什么？
热灵敏度是指半导体材料的电阻率和温度之间的关系。当温度升高时，半导体的电阻率将显着降低。
此功能使半导体可以根据环境温度的变化来调节其电导率。
此外，半导体还具有重要的光电特性。
在光线条件下，半导体不容易传导电力。
但是在光条件下，电导率将得到显着提高。
例如，当没有光线时，照片-semi -deDuctor的电阻与数十个Megohm一样高，而在光线下，电阻会降低到数万欧姆。
该现象称为“光电导率”，用于创建光电转换设备，例如Photodidi和Fotorodi。
近年来，半导体中的发射照明设备 - 发射到光的二极管已被广泛使用。
当电流通过时，排放光的二极管会发出光，将电直接转换为明亮的能量。
目前，已经开发了各种光的光发射，包括黄色，绿色，红色，蓝色和其他颜色，以及发出无形红外光线的光发射二极管。
此外，半导体也具有掺杂特性。
纯半导体材料具有较高的电阻率，但是通过掺入极少量的“杂质”元件，可以显着改变其电导率。
例如，纯硅的电阻率为2 1 4 ×1 000 ohm/cm，并掺入了百万个Boro后，电阻率将降至0.4 ohm/cm。
使用此函数，可以仔细控制半导体的电导率，从而产生各种半DDUCTOR设备。
最后，作为常见的光电转换装置，硅的光电器可以直接将光能量转换为电能，成为清洁和方便的能量选择。
该技术的应用不仅扩大了半导体材料的应用范围，而且在能量转化领域带来了新的可能性。
根据半导体理论,一般半导体材料的电阻率和绝对温度之间的关系 要公式
ρ和温度t和半导体的电阻之间的关系为：ρ=αexpuctor（ρ=αexpuctor（ρ=αexportor（β / t）对于相同的半导体材料αβ一直不断与数字相关，并且数值与物理性质和物理性质有关数值对物理属性的物理属性的数值和物理属性的数值和数值的数值是对物理属性的，而值的数量是物理属性到物理属性的物理属性是对材料的物理属性的。为什么半导体温度越高电阻率越小
半导体材料的电阻率与温度之间的关系是一种复杂但有趣的物理现象。确定这种关系的关键因素是载体浓度和迁移率随温度变化的方式。
在低温条件下，载体浓度呈指数增加，因为供体或受体杂质的电离变得更加重要。
同时，随着电离杂质的散射效应的降低，活动性会增加。
因此，在低温环境中，随着温度的升高，电阻率将降低。
当温度达到室温时，供体或受体杂质已完全离子，这意味着载体浓度不再随温度而变化。
但是，由于晶格振动增加和声音散射增强，迁移率会降低。
因此，在室温下，电阻率随温度升高而增加。
在高温条件下，内在激发开始起作用，载体浓度迅速增加。
尽管迁移率仍然随温度升高而降低，但这种还原效应不如载体浓度升高的效应强。
因此，在高温环境中，电阻率随温度升高而降低。
总之，半导体材料的电阻率与温度之间的关系取决于载体的浓度和迁移率，随着温度的变化。
这种现象在半导体设备的设计和应用中具有重要意义。
为什么导体的电阻跟温度有关系？
电阻和温度之间的电阻和温度之间存在逆转关系。在室温下，在室温下（良好织物的电阻值通常与高温成正比。
对于半导体的不居定半导体的电阻随温度和两个相关地理学而降低。
当温度完全升至零时，半导体电阻的电阻是第一个。
被告颗粒（电气设备或孔）当大多数指控或锤子离开其航空公司时，电阻会增加温度的略有升高。
当温度升高时，半导体将产生新的新飞机载体（如未掺杂的半导体）。
相反称为对经济抵抗的名称。
电阻（通常代表“ R”）通常是代表导体对导体的作用量的物理量。
一个人的抵抗正在增加。
不同的导体通常具有不同的电阻。
导体的电阻通常代表表示。
目前形成电子支架的自由定向活动。
游离电子经常与活动中的金属离子碰撞，每秒1 0个这是碰撞数量的碰撞数量。
点溢出耐力：1 长度：当项目和横截面面积相同时，2 在横截面的一部分中 - 相同的东西，当项目和长度相同时，横截面面积很小，耐药性。
3 你是个好主意。
设备：当长度的长度和Briige-Area相同时，不同的材料电阻是不同的。
4 温度：大多数导体的温度越高，耕作风险越高，对手的数量越高，情况就越高。
5 耐力是导体的特性。
结果，导体中没有任何部分，以及它与电流，电路和电路连接的事实。
超导体 - 驱动器的耐力为零。
因此，超导体的电阻为零。
为什么半导体温度越高电阻率越小
电阻率与半导体温度之间的关系：决定电阻温度关系的主要因素是载体浓度与温度和温度迁移率之间的关系。在低温下：随着载体浓度的指数增加（供体或受体的杂质不断化），迁移率也会增加（扩散电离杂质的效果较弱），耐用性目前随着高温和高温的增加而增加。
在室温下：由于供体或受体的杂质已经完全离子化，因此载体的浓度保持不变，但是随着温度的升高，迁移率降低（晶格振动已加剧，从而导致较好的声音传播）。
温度升高。
在高温下：目前的内在激发开始起作用，尽管随着温度的升高，载体的浓度仍会迅速增加（晶格振动的扩散变得越来越强，越来越强）），但迁移率降低的效果是由于载体浓度的改善，不强大，因此总体效果是电阻随温度升高而降低。
